[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [5p-C21-5] Si(100)ジャスト基板上GaAs 直接成長の成長前処理によるアンチフェーズドメイン形成への影響

〇中尾 亮^1,2、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード：直接成長、アンチフェーズドメイン

Si基板上へ高品質なIII-V族化合物材料を直接成長上で、アンチフェーズドメイン(APD)の発生はIII-V族材料の結晶品質低下の主要因である。APD密度低減のため、微傾斜基板を用いる方法もあるが、結晶成長や半導体素子作製に少なからず影響を及ぼす。そのため、Si(100)ジャスト基板上にAPD密度の低いIII-V族化合物を成長することは重要である。今回，MOVPE法により作製したSi(100)ジャスト基板上のGaAs層のAPD低減を目的とした検討を行い、基板熱処理条件を変化させることでAPDの自己消滅が生じることを確認したので報告する。