2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

2017年9月5日(火) 13:30 〜 15:30 PB3 (国際センター2F)

13:30 〜 15:30

[5p-PB3-5] Cat-CVD で形成した極薄 SiN x 膜のパッシベーション性能

〇(M2)宋 昊1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)

キーワード:Cat-CVD、窒化シリコン

本研究では、触媒化学気相堆積(Cat-CVD)による5 nm 程度の極薄 SiNx膜のパッシベーション性能と水素処理による改善効果を試みた。5 nm程度SiNx膜の上に10nm程度のn-a-Siを堆積し、パッシベーション性能を調べた。パッシベーション性能を向上させるため、n-a-Siを堆積する前に水素処理を使用した。屈折率が2.3である SiNxにおける膜処理時間の増加に伴い、試料のτeffが増加し、180 s 付近で 300–400 µs 程度の最大値が出現し、その後減少する傾向が確認された。