[5p-S42-1~15] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[5p-S42-13] ナノインプリントリソグラフィにおけるレジスト残膜の影響

〇岡部 かすみ¹、小林 敬¹、光安 将騎¹、福原 和也¹、加藤 寛和¹、河野 拓也¹、Jung Wooyung² (1.東芝メモリ、2.ＳＫハイニクス)

キーワード：ナノインプリント、残膜

半導体の微細パターンを低コストで形成する技術として、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）の開発を進めている。NILは接触プロセスであるため、成型後のレジスト凹部にはレジスト残膜が存在する。このレジスト残膜は、NIL固有のものであり、リソグラフィ性能に及ぼす影響を明確にする必要がある。本報では、レジスト残膜の膜厚がNILのアライメント精度及び欠陥性能に及ぼす影響を検討した。