[6a-A405-1~9] 3.11 フォトニック構造・現象

△ [6a-A405-9] 中波長赤外熱輻射変調に向けたGaN/AlGaN量子井戸サブバンド間吸収の電圧制御

〇Kang Daniel Dongyeon¹、井上 卓也^1,2、浅野 卓¹、野田 進¹ (1.京大院工、2.K-CONNEX)

キーワード：熱輻射光源、GaN/AlGaN 量子井戸、Photonic crystals

フォトニック結晶を利用した狭帯域熱輻射光源は、光吸収による物質検出システムの小型・低消費電力化を可能にするデバイスとして期待されている。我々は、これまで、GaAs/AlGaAs 多重量子井戸(MQW)のサブバンド間吸収とフォトニック結晶を利用して光源の放射率（吸収率）を制御することで、波長9 µm付近で極めて狭帯域(Q>100)なスペクトルを実証するとともに、MQWのサブバンド間吸収の電圧制御を利用した熱輻射の高速変調動作(~MHz)も実証した。今回、中波長赤外領域(3~8 µm)で動作するGaN/AlGaN狭帯域熱輻射光源において熱輻射の高速変調動作を実現するために、その基礎となるGaN/AlGaN MQWのサブバンド間吸収の電圧制御実験を行ったので報告する。