[6a-A413-1~10] 12.1 作製・構造制御

[6a-A413-7] 単結晶を蒸着源とした真空蒸着法による鉛ハライドペロブスカイト薄膜の作製と評価

上山 夏樹¹、坂戸 雅智¹、義富 卓也¹、〇田中 仙君¹ (1.近畿大院総合理工)

キーワード：鉛ハライドペロブスカイト、真空蒸着、単結晶

鉛ハライドペロブスカイト単結晶を蒸着源として、鉛ハライドペロブスカイト薄膜を作製した。単結晶を蒸着源とすることで、従来の二元蒸着による薄膜作製よりも簡便かつ再現性良く薄膜作製が可能である。MAPbI₃,FAPbI₃,MAPbBr₃の各単層膜は結晶性が良い良好な薄膜が形成できた。一方で、MAPbI₃/MAPbBr₃積層膜では、経時変化が見られ、混晶化が進んでいる可能性が示唆された。