[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6a-A503-1] ミリ秒オーダのフラッシュランプアニール(FLA)装置による残留欠陥の回復

〇上田 晃頌¹、布施 和彦¹、阿部 誠¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、小林 一平¹ (1.SCREEN)

キーワード：半導体、フラッシュランプアニール

半導体デバイスの熱処理工程では不純物の拡散制御だけでなく，残留欠陥の回復も求められる．熱履歴の長い熱処理は欠陥回復に効果はあるが，深さ方向への過剰な拡散の課題も生じる．この課題を解決するために，ミリ秒オーダで熱処理が可能なFLAを用いて熱処理後の欠陥状態を評価した．その結果，FLA処理によって浅い接合を維持したまま残留欠陥を回復することができ，低抵抗化が可能である．