[6a-A504-1~9] 12.2 評価・基礎物性

[6a-A504-4] イオン液体を用いた電気二重層FETのキャリア移動度と界面構造との相関

〇(M2)阪本 康太¹、大野 桜子¹、岡上 大二郎¹、名藤 広晃¹、佐藤 大輝¹、今西 哲士¹、田邊 一郎¹、竹谷 純一²、福井 賢一¹ (1.阪大院基礎工、2.東大院新領域)

キーワード：界面、有機半導体、イオン液体

高いホール移動度を有するルブレン単結晶の電気二重層FETにイオン液体EMIM-FSIを用いると、急速にホール移動度が減少すること、さらに比較的大きな正のゲート電圧を印加することで移動度が一時的に回復することを前回報告した。電気化学FM-AFMを用いた観察により、電圧印加前後でルブレン表面の形状は大きく変化していないが、イオン液体の構造力に有意な変化が見られ、この起源について議論する。