[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6a-C21-9] LSI配線におけるZn添加によるCu/SiO₂間の相互拡散バリア性の評価

〇(M2)城戸 光一¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹、小池 淳一¹ (1.東北大工)

キーワード：LSI配線、拡散バリア

LSIは、高集積化・高速化のために配線幅の微細化が進んでおり、それに伴い拡散バリア層の薄肉化も要求される。しかし、配線の微細化に伴い現在の方法ではバリア層を形成できなくなる。そのため、バリア層自己形成法に注目した。銅に元素を予め添加し、熱処理によりCu/SiO₂界面に移動させ、バリア層となる化合物を形成する方法である。本研究では、Cu-Zn合金におけるバリア層自己形成法の調査および、密着性、拡散バリア性の評価を行った。