[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-2] 原子層堆積法によりGe基板上に形成したAl₂O₃への酸素ラジカル照射がAl₂O₃/p-Ge界面特性に及ぼす影響

〇山田 大地¹、王谷 洋平¹、山本 千綾²、山中 淳二²、佐藤 哲也²、岡本 浩³、福田 幸夫¹ (1.諏訪東京理科大、2.山梨大、3.弘前大)

キーワード：原子層堆積法、HIgh-κ絶縁膜、MOSキャパシタ

ポストSi-MOSFETの候補として様々な材料が検討されているが、我々のグループはGe-MIS構造に着目して研究を進めている。一般に、Ge基板上に直接Al₂O₃を形成すると界面欠陥が多いことが知られている。本研究では、Ge基板上にAl₂O₃を形成したのち、酸素ラジカルを照射し、Al₂O₃/Geの界面欠陥の酸素ラジカル照射時間依存性を検討した。