[6a-S41-1~11] 【CS.9】7.1 X線技術と7.4 量子ビーム界面構造計測のコードシェアセッション

[6a-S41-11] 背面入射中性子反射率法による厚膜の構造評価

〇宮田 登¹、宮崎 司¹ (1.CROSS)

キーワード：中性子反射率

中性子反射率では通常数nm～100nm程度の薄膜の構造評価を対象とするが、それより厚い膜（100nm～数μm）ではqの小さな領域にKiessigフリンジがあるが全反射領域となることからその構造の評価は困難であった。
全反射はqcより小さい領域で生じる。中性子の特徴である透過性の強さを利用して基板から入射（背面入射）することで全反射が起こる領域が狭くなり、小さなq領域でもKiessigフリンジが現れるようになる。1μm程度の膜厚を持つ試料を作製し、実際に背面入射により中性子反射率の測定を行った。正面入射ではKiessigフリンジは全反射領域近傍にわずかに見えるだけだが、背面入射では全反射領域が小さくなり、Kiessigフリンジも明確に表れた。このことから背面反射中性子反射率法により十分厚い膜の構造も評価できることを示した。