[6a-S41-1~11] 【CS.9】7.1 X線技術と7.4 量子ビーム界面構造計測のコードシェアセッション

[6a-S41-2] XANAMによるAuナノアイランド近傍のX線誘起静電場変化の分析

〇鈴木 秀士¹、向井 慎吾²、田 旺帝³、野村 昌治⁴、朝倉 清高² (1.名大院工、2.北大触媒研、3.ICU、4.KEK-PF)

キーワード：X-ray、原子間力顕微鏡、元素分析

表面／界面のナノ構造を個々に識別しながら、元素・化学状態を特定する手法として「X線支援原子間力顕微鏡(XANAM)」を開発してきた。この手法は、もう一つの側面として、ナノ構造周辺の各力のポテンシャルの空間分布を知ることができる点がある。そこでSi基板上のAuナノアイランド周辺のX線吸収端付近のエネルギーを持つX線が誘起する静電場分布の変化について検討したので報告する。