[6p-A503-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6p-A503-8] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅺ)
電子線照射による1x10¹³cm^-3までの赤外参照試料とブロックゲージの作製

〇井上 直久^1,2、河村 裕一² (1.東京農工大、2.大阪府立大学)

キーワード：シリコン結晶、炭素不純物濃度測定、赤外吸収

シリコン結晶中の炭素濃度の測定は赤外吸収法を用いる。炭素は置換型位置に入り吸収は結晶や濃度に依らず単一の係数で濃度に比例する。但し炭素吸収ピークの重なる巨大なフォノン吸収を、炭素を含まない参照試料との吸収差により相殺する。しかし必ず微量の炭素が含まれるため、参照試料の濃度が分からないと全濃度が求められない。我々は電子線照射により炭素を格子間位置に追い出して「ほぼ無炭素の参照試料」を作製した。またこの方法で参照試料中の濃度と照射前の全濃度とを求められる。線量を変えて広い範囲の濃度の分かったブロックゲージを作れた。前回シリコンメーカなどと協力した作製を報告したが、今回は1x10¹³cm^-3までの参照試料と、ブロックゲージの作製を報告する。