[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-14] 六方晶窒化ホウ素基板を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の分子線エピタキシー成長とその評価

〇堀田 貴都¹、徳田 拓人¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名大理、2.NIMS)

キーワード：原子層物質、遷移金属ダイカルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）原子層は、二次元性に由来した新奇物性およびデバイス応用への可能性の観点から、現在大きな注目を集めている。TMDCのこれら可能性をさらに探求するためには、それを支える大面積・高品質な結晶成長法の確立が必要不可欠である。本研究では、制御性のよい薄膜成長法である分子線エピタキシー法をTMDCの結晶成長へ応用すべく、六方晶窒化ホウ素を基板とした単層TMDCのMBE成長を試みた。