[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6p-C17-4] ミストCVD法によるα-Al₂O₃基板上NiO成長の面方位依存性

〇池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：ミストCVD、酸化ニッケル、酸化物半導体