[6p-C19-1~8] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール３次元分析（Ｉ）

[6p-C19-1] ナノスケールReRAM/CBRAMデバイスのIn-situ TEM解析

〇高橋 庸夫¹、福地 厚¹、有田 正志¹ (1.北大院情報)

キーワード：透過電子顕微鏡、抵抗変化メモリ、その場観察

集積回路の微細化が進む中で、新しい機能性ナノ構造デバイスが注目を集めている。これらのデバイスは、ナノ構造ゆえに、その動作メカニズムを明確にしにくい。集積化デバイスの信頼性確保には、動作モデルに加え、劣化モデルを明確にし、寿命保障のための加速試験の原理確立が不可欠になる。本報告では、透過型電子顕微鏡内で、ナノスケールの抵抗変化メモリを動作させ、その抵抗変化動作と劣化機構を直接観察する手法を紹介する。