[6p-C19-1~8] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール３次元分析（Ｉ）

[6p-C19-6] In-situアトムプロープ分析による電界誘起酸素エッチングに要する電界強度の推定

〇大谷 一稀¹、永井 滋一¹、岩田 達夫¹、畑 浩一¹ (1.三重大院工)

キーワード：アトムプローブ分析、タングステン、表面酸化