2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年9月6日(水) 13:45 〜 19:00 C21 (C21)

角嶋 邦之(東工大)、曽根 正人(東工大)

16:00 〜 16:15

[6p-C21-10] ミニマル水プラズマアッシングプロセスを用いたpMOSFETの試作

三浦 典子1,2、相澤 洸2、居村 史人1,3、山田 武史2、野川 満徳2、大西 康弘2、石島 達夫4、鈴木 宏明4、島田 大伸4、クンプアン ソマワン1,3、原 史朗1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.米倉製作所、3.産総研、4.金沢大学)

キーワード:ミニマルファブ、レジスト除去プロセス、プラズマプロセス

ミニマルファブにおける新規のレジスト除去プロセスとして、低環境負荷でダメージの低減が期待できる「水プラズマアッシング技術」を開発している。本研究では、水プラズマアッシングプロセスをフルミニマルのpMOSFET製造工程に組み込んで電気特性を評価したので、その結果について報告する。