[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-15] ミニマルファブにおけるCMP を⽤いた平坦化プロセスの評価

〇梅山 規男^1,2、三浦 典子²、居村 史人^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード：ミニマルファブ、CMP

ミニマルCMP装置を用い、平坦化プロセスの基本的な評価を行った。ハーフインチSiウェハ上にサイズを変えた凹凸パターンを形成し、平坦化を試みた。プロセスは、全てミニマル装置を用いた。表面プロファイル測定結果から、15μm幅以下ではほぼ平坦化が出来ていた。当日はミニマルCMP装置でどこまで平坦化が可能かについて議論を行う予定である。