[6p-C21-1~20] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[6p-C21-4] Analysis of high quality minimal ICP deep trench etching performance by using L-18 method

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Yoshiyuki Nozawa³, Toshihiro Hayami³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:Bosch, minimalfab, L-18

ミニマル高速ガス置換ICPボッシュプロセスについては、パラメータが多様のためどの物理パラメータのコンビネーションが効率的に機能しているかを掴んでいなかった。今回、品質工学のL-18手法（タグチメソッド）を利用して解析を行った結果、各パラメータのばらつき（S/N比）や、平均的傾向（感度S）より最適条件を導き出すことができた。装置性能を最大限に引き出すと共に所望のエッチング形状がコントローラブルになった。