[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-6] ミニマルSi-CVD装置における内部構造の影響

〇三ケ原 孝則^1,2、石田 夕起²、伊藤 孝宏³、三浦 典子¹、池田 伸一²、羽深 等⁴、クンプアン ソマワン²、原 史朗² (1.ﾐﾆﾏﾙﾌｧﾌﾞ推進機構、2.産総研、3.ｵﾘｴﾝﾀﾙﾓｰﾀｰ、4.横国大)

キーワード：ミニマル

CVD装置をミニマル化するためには、内蔵ボンベの容量を小さくしガス流量を減らさなければならない。メガファブ装置とは違いウェハ面内での膜厚分布などの不均一性が大きくなる可能性がある。本発表では、熱と流れと化学反応を連成させたシミュレーションを行い、ミニマルCVD装置とメガファブを模したCVD装置との比較を行い装置の内部構造の影響を調べたので報告する。