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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

2017年9月6日(水) 13:45 〜 18:15 C23 (C23)

中村吉伸(東大)、西川博昭(近畿大)

16:00 〜 16:15

△ [6p-C23-8] Si基板上のストロンチウムシリケイト薄膜の固定電荷の起源

〇(D)谷脇将太¹、吉田晴彦¹、新船幸二¹、佐藤真一¹、堀田育志¹ (1.兵庫県立大学)

キーワード：ストロンチウムシリケイト、固定電荷、アニール処理