[6p-PA5-1~24] 13.10 化合物太陽電池

[6p-PA5-13] 真空蒸着法によるAg₂SnS₃薄膜の作成及び評価

〇佐藤 佑亮¹、荒木 秀明²、中村 重之³、瀬戸 悟⁴、山口 利幸⁵、赤木 洋二¹ (1.都城高専、2.長岡高専、3.津山高専、4.石川高専、5.和歌山高専)

キーワード：Ag2SnS3、化合物系太陽電池

新規太陽電池用材料としてバンドギャップ1.26eVをもつAg2SnS3に着目し、真空蒸着法で成膜したglasss/SnS/Agプリカーサ膜をH2Sで熱処理したときの影響を調査した。400℃で熱処理すると、Ag8SnS6結晶に帰属される回折ピークの強度が抑制され、単相に近いAg2SnS3結晶薄膜が得られるのが分かった。