2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月6日(水) 13:30 〜 15:30 PA7 (国際センター1F)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-9] GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御

伊藤 峰水1、鈴木 浩基1、渡邊 優介1、藤川 紗千恵2、町田 龍人1、藤代 博記1 (1.東理大院基礎工、2.電機大工)

キーワード:GaSb、MBE、界面制御