[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-1] AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の結晶評価
～ヘテロ界面平坦性とAlGaN初期成長条件との関係～

〇細見 大樹¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：AlGaNチャネル、パワーデバイス

InAlN/AlGaN HFET構造の移動度改善には，ヘテロ界面平坦性の向上が有効である。前回，我々は，再成長AlN層の導入により平坦な界面を有するInAlN/AlGaN HFET構造の成長が可能になることを報告した。今回，AFMとTEMを用いてこの再成長AlN層の解析を行ったので報告する。