[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-10] 放射光XRD・HAXPESによるAl/Ti/AlGaNの界面反応層の結晶構造及び化学結合状態評価

〇安野 聡¹、小金澤 智之¹、鈴木 貴之²、岩田 直高² (1.高輝度光科学研究セ、2.豊田工大)

キーワード：AlGaN、放射光分析

熱処理により形成されるAl/Ti/AlGaNの界面反応層の化学結合状態と結晶配向性についてHAXPESと2次元検出器を用いたXRD法による評価を行った。XRDの結果から、熱処理によって基板法線方向と面内配向したTiN及びTi₂AlNが形成されることがわかった。HAXPESからは熱処理よって界面近傍にGaメタル成分が存在することなどがわかった。