[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-26] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング

〇松本 悟¹、佐藤 威友¹、成田 哲生^2,3、加地 徹³、橋詰 保^1,3 (1.北大 量集セ、2.豊田中央研究所、3.名大 未来材料・システム研)

キーワード：窒化ガリウム

窒化物半導体の加工にはプラズマプロセスが主に用いられるが、加工損傷等による素子特性の劣化が問題となっている。本研究では、プラズマプロセスで導入されたダメージを、より反応エネルギーの低い光電気化学(PEC)酸化反応を利用して除去するプロセスを検討した。