2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

7 ビーム応用 » 7.5 イオンビーム一般

[6p-S41-1~10] 7.5 イオンビーム一般

2017年9月6日(水) 13:30 〜 16:15 S41 (第1会議室)

阿保 智(阪大)、瀬木 利夫(京大)

15:00 〜 15:15

[6p-S41-6] 遷移金属薄膜に対する液体クラスターイオンビームの照射効果

清水 大貴1、山本 大介1、竹内 光明1、龍頭 啓充1 (1.京大光電子理工セ)

キーワード:クラスターイオンビーム、遷移金属薄膜

近年、スピントロニクス分野において、遷移金属の高効率な加工技術が求められている。そこで、マグネトロンスパッタ法で作製した遷移金属薄膜に液体クラスターイオンビームを照射し、スパッタリング効果について調べた。クラスター材料は、エタノールやアセトンとした。その時の加速電圧は、3-9kVとした。液体クラスターイオンビームは、超音速自由噴流法を用いて生成したクラスターを電子イオン化することにより生成した。