[6p-S44-1~21] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[6p-S44-9] 金属イオンを用いたシリコン量子ドット高次構造の形成

〇大畑 祐貴¹、杉本 泰¹、藤井 稔¹ (1.神戸大院工)

キーワード：集合体、金属イオン、半導体量子ドット

リン、ホウ素の高濃度ドーピングにより、極性溶媒中で高い分散性を示す全無機シリコン量子ドットと金属イオン（Zn²⁺,Ni²⁺,Mn²⁺等）を混合することにより量子ドット間を金属イオンにより架橋し、シリコン量子ドット1次元配列構造の形成を試みる。異なる粒径（4,7,15,70 nm）や表面状態のシリコン量子ドットについて、電気陰性度の異なる様々な種類の金属イオンを用いて高次構造を形成した結果を示す。またその光学特性評価に関しても報告する。