[7a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[7a-A201-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiCフォトダイオードのテラヘルツ波放射の波長依存性評価

〇西村 辰彦¹、中西 英俊¹、北村 藤和¹、水端 稔¹、川山 巌²、斗内 政吉² (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)

キーワード：炭化ケイ素、シリコンカーバイド、テラヘルツ波、THz波、フォトダイオード

今回、LTEM技術における励起光波長を変化させて、SiCフォトダイオードの分析を行った。励起波長280 nmと400 nmの場合でLTEMイメージが異なる結果が得られた。波長400 nmでは電極付近の測定点でTHz波形の反転が見られ、電流の向きが異なることが示唆される。励起波長を変化させて計測することにより、LTEMがフォトダイオードの感度が異なる領域でのキャリアの振る舞いの分析に適用できる可能性を示した。