[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-1] c-BN薄膜成長における基板面方位の影響

〇平間 一行¹、谷保 芳孝¹、山本 秀樹¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：立方晶窒化ホウ素、イオンビームアシストMBE、ダイヤモンド