[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-10] PSD法によるn型GaNショットキーダイオードの作製

〇今別府 秀行¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、太田 実雄^1,2、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.JST-さきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：GaN、スパッタリング