2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

荒木 努(立命館大)、太田 実雄(東大)

09:30 〜 09:45

[7a-A301-3] グラファイト上InN成長における緩衝層の効果

〇(M1)荒川 真吾1、久保中 湧士1、黒田 古都美1、大江 佑京1、毛利 真一郎1、荒木 努1、名西 憓之1 (1.立命館大理工)

キーワード:InN、グラフェン、層状材料

InNの高品質成長手法として、我々はDERI法およびグラフェン等の層状材料の基板利用を提案している。これまで、GaNテンプレート上に転写されたグラファイト薄片上に、InN微結晶が成長することを報告してきた。本研究ではグラファイトの濡れの悪さの改善を目指し、緩衝層の効果を検討した。AlN薄膜を挿入すると、結晶粒のコアレッセンスが顕著に見られることを見出した。