[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-6] GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察

〇山口 智広¹、佐々木 拓生²、高橋 正光²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、荒木 努³、名西 やすし³ (1.工学院大、2.量研、3.立命館大)

キーワード：GaInN、分子線エピタキシー、その場観察

GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程を放射光X線回折を用いて観察した。