[7a-A405-1~10] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

[7a-A405-5] Fabrication of a High power Homojunction Silicon Laser (2)

〇Tadashi Kawazoe¹, Hsimoto Kazunobu², Sugiura Satoshi², Ohtsu Motoichi³ (1.TDU, 2.NPEO, 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:nanophtonics, Laser, Silicon

今回、このDPPアニールの効果を大きくするためにこれまで用いていたドーパント種を変更し、原子の質量数のSiとの違いがより大きな新しいドーパントを用いてSiレーザーを作製した。その結果、これまでよりも低い電圧において、DPPアニールの進捗を示す負性抵抗特性が現れることが分かった。発表では新しく作製した素子の光出力特性等に関して報告を行う。