[7a-A412-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

△ [7a-A412-3] α-Al₂O₃(0001)上に高基板温度で成膜したIr(111)を下地としたエピタキシャルダイヤモンドの作製

〇北嵜 仁¹、児玉 英之¹、金 聖祐²、鈴木 一博³、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工、2.並木精密宝石(株)、3.トウプラスエンジニアリング(株))

キーワード：ダイヤモンド、イリジウム、ヘテロエピタキシー