[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-12] Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の感度特性の評価

〇顧 之チン¹、瓜生 達也¹、中村 なぎさ¹、井上 大輔¹、雨宮 智宏¹、西山 伸彦¹、荒井 滋久¹ (1.東工大)

キーワード：半導体、フォトダイオード、光インターコネクト

近年のLSI内素子の微細化に伴う問題の解決策として、光配線が注目されている。そこで我々は、半導体薄膜光集積回路をLSI上にハイブリッド実装する技術を提案しており、光源をはじめとした一連の光素子の研究を行っている[1-3]。中でも、光検出器は、回路全体の性能を律速する要因にもなっており、高速化・高感度化を同時に実現するような構造が強く望まれている。
今回、Si上集積型GaInAs吸収層薄膜p-i-nフォトダイオード（PD）を試作し、その感度特性の評価を行ったのでご報告する。