[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-3] III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上L字接合をもつキャリア空乏型InGaAsP光変調器の検討

〇関根 尚希¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：光変調器、InGaAsP

III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上でのL字接合をもつキャリア空乏型InGaAsP光変調器について数値計算により検討を行った。N型が上になるようなL字型の接合を形成することで横型に接合を形成したものに比べ優れた性能指数が実現できると分かった。