[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-7] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの低閾値構造の検討

〇杉山 滉一¹、鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、韓 旭¹、内田 和希¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、InP/Si、直接貼付

光配線は，電気配線を光配線に置き換えることで，LSIの消費電力や高速大容量通信などの問題を克服する技術です．我々はシリコン基板上への光デバイスの集積方法として，薄膜InP層とSi基板を直接接合して作製したInP / Si基板上に結晶成長する方法を提案している．この方法を用いて，InP / Si基板上にボイドのない2インチInP / Si基板，1.2μm波長の半導体レーザを得た．本研究では，InP / Si基板上に1.5μm帯のGaInAsP-InPダブルヘテロレーザ構造をエピタキシャル成長させ，レーザ構造を最適化することにより，低閾値電流レーザを実現した．