[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-8] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの室温発振特性

〇内田 和希¹、鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、韓 旭¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、杉山 滉一¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：InP/Si、直接貼付、レーザダイオード

今後データ通信量は爆発的に拡大すると考えられている．その為，データセンター等で使用される大規模集積回路は，通信量の負荷に耐えられなくてはならない．そこで，大規模集積回路の電気配線部分を光配線にすることで高速大容量通信を低消費電力で実現する光インターコネクションという考え方が台頭してきた．それに対し我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板上において，波長1.5µm帯での発振を狙ったGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，さらに閾値電流値の低減を狙いストライプ構造の作製を行い，電流注入による室温発振特性の評価を行った．またInP基板上に成長した，同様のストライプレーザの特性と比較したのでその結果を報告する．