2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C13 (事務室2-2)

末益 崇(筑波大)、原 康祐(山梨大)

09:00 〜 09:15

[7a-C13-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 透明バイポーラ酸化物半導体: ZrOS

新井 健司1、飯村 壮史1、金 正煥2、細野 秀雄1,2 (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素セ)

キーワード:双極性、材料設計、透明

透明バイポーラ酸化物半導体は、次世代の透明エレクトロニクスを担う候補材料として期待されている。我々は、禁制型のバンドギャップを持つ正方晶―硫酸化ジルコニウム(t-ZrOS)に注目した。FとYを1atm%置換すると、伝導度は2-3桁上昇しゼーベック係数の符号反転が観察されたことを以前に報告した。本講演では、t-ZrOSの設計指針だけではなく、新しいコンセプトに基づいた物質の報告も行う。