2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C13 (事務室2-2)

末益 崇(筑波大)、原 康祐(山梨大)

12:00 〜 12:15

[7a-C13-12] Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi2 solar cells

〇(M2)Zhihao Xu1、Tianguo Deng1、Ryota Takabe1、Kaoru Toko1、Takashi Suemasu1 (1.Univ. Tsukuba)

キーワード:BaSi2