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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C13 (事務室2-2)

末益崇(筑波大)、原康祐(山梨大)

10:45 〜 11:00

△ [7a-C13-7] メッシュ型電極を持つMg₂Si pn接合フォトダイオードの作製

〇鬼沢雄馬¹、中野達也¹、吉田美沙²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院、2.物質･材料研究機構)

キーワード：Mg2Si、半導体、フォトダイオード