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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C13 (事務室2-2)

末益崇(筑波大)、原康祐(山梨大)

11:15 〜 11:30

[7a-C13-9] 熱処理したMg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係

〇(M1)矢口楓子¹、中野浩平¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：マグネシウムシリサイド、半導体、赤外吸収