[7a-C16-1~12] 17.2 グラフェン

△ [7a-C16-10] 石英基板上h-BN/2層グラフェンヘテロFETの容量計測

〇ウワンノー ティーラユット^1,2、谷口 尚³、渡邊 賢司³、長汐 晃輔^1,4 (1.東大、2.KMITL、3.NIMS、4.JST-さきがけ)

キーワード：2層グラフェン、h-BN

h-BN/2層グラフェン/h-BNヘテロ構造ではチャネル面積が制限されるため，n⁺-Si基板でギャップの定量評価のための容量測定では，浮遊容量と周波数依存性が問題になった．本研究では，グラファイトゲート電極の使用により絶縁性である石英基板上にデバイス作製が可能となった．その結果，小さなトップゲート面積でも浮遊容量とトップゲート容量の周波数依存性が大幅に低減し，量子容量計測によるギャップの定量評価が可能となった．