[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[7a-C21-4] 絶縁体上 Si_1−xGe_x 薄膜の固相成長における前駆体の加熱堆積効果

〇高原 大地¹、都甲 薫¹、吉峯 遼太¹、末益 崇¹ (1.筑波大院 数理物質)

キーワード：SiGe、固相成長