[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [7a-C22-2] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge_1−xSn_x薄膜の熱電特性

〇今井 志明¹、髙橋 恒太^1,2、中塚 理^1,3、財満 鎭明³、黒澤 昌志^1,4,5 (1.名大院工、2.JSPS、3.名大未来研、4.名大高等研究院、5.JSTさきがけ)

キーワード：GeSn、熱電材料