[7a-PB1-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

[7a-PB1-7] 共通ゲート三重ドット単電子デバイスにおけるポンプ動作の解明

〇高野谷 怜音¹、今井 茂¹ (1.立命館大理工)

キーワード：ナノデバイス

３つのゲート容量が非対称な共通ゲート三重ドット単電子デバイスで、ポンプ動作が可能なのはどんな状況かについて説明する。前回、ゲート電圧の下降時にソース側、中央、ドレイン側のドットの電子数の増減が-1,+1,-1の場合はポンプ動作が起き、0,-1,0の場合はポンプ動作が起きないとしていた。しかし今回は、どちらの場合でも電極―ドット間のトンネリングが、最初に起きる時にポンプ動作が起きるということを明らかにした。