[7a-S21-1~7] 13.10 化合物太陽電池

△ [7a-S21-2] CdTe太陽電池におけるCdS成膜条件の影響

〇椎名 和由¹、岡本 祥太¹、荒井 瞭¹、岡本 保¹ (1.木更津工業高等専門学校)

キーワード：CdTe太陽電池、II-VI族半導体、CdS

CdTe太陽電池の窓層としてCdSが多く使用されている。CdSは、溶液成長 (CBD)法や有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて成膜されている。また、CdSの成膜条件がCdSの結晶性などに大きく影響を与えると考えられる。今回、MOCVD法を用いてCdSを成膜し、成膜時の基板温度がCdTe太陽電池のI-V特性に及ぼす影響を調べ、検討を行った。CdSの基板温度が、450 ℃前後でリークパスが減少したために、漏れ電流が抑制され並列抵抗が増加し、変換効率の向上に繋がったと考えている。