[7a-S44-1~9] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[7a-S44-1] TBClエッチング効果を利用したInSbナノ構造の作製

〇舘野 功太^1,2、章 国強^1,2、佐々木 智¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研、2.NTT NPC)

キーワード：ナノワイヤ、InSb、結晶成長

InSbナノワイヤの形成を目的に、InPナノワイヤ、InAsナノワイヤ上のInSb成長を調べた。TBClを用いることによって、InP、InAsナノワイヤ先端にInSbナノ結晶が形成されることを確認した。さらに長いナノワイヤの成長の検討を行っているので報告する。