[7p-A201-1~10] 転位研究の最前線 ～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[7p-A201-10] 4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動

〇石川 由加里^1,2、須藤 正喜²、姚 永昭¹、菅原 義弘¹、加藤 正史² (1.JFCC、2.名工大)

キーワード：基底面転位、拡張、CL

バイポーラデバイスにおいて順方向特性劣化を引き起こす基底面転位の拡張挙動を理解する為に、基底面転位の拡張挙動をA面からの電子線励起およびCLで観察した。A面を使用することで、C面では困難な励起配置が可能となる。拡張転位に対して複数の励起配置でその拡張挙動を調べた。拡張転位の外側に電子線を照射しても拡張したが、拡張幅は照射位置によって異なった。その詳細を報告する。